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T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓 度及分布的二 ...
2019年10月10日 本标准界定了碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法相关的术语、 定义和测试方法，适用于半导体碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及 T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓 度及分布的二 ...2019年10月10日 本标准界定了碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法相关的术语、 定义和测试方法，适用于半导体碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及
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一种碳化硅复合材料中杂质元素含量的测定方法 - 百度学术
本发明属于化学检测方法技术领域,具体涉及到采用等离子体质谱法对碳化硅中铝,镁等18种杂质元素含量进行测定的方法.包括以下步骤:(1)确定试样中杂质元素;(2)破碎筛选;(3)超声清 一种碳化硅复合材料中杂质元素含量的测定方法 - 百度学术本发明属于化学检测方法技术领域,具体涉及到采用等离子体质谱法对碳化硅中铝,镁等18种杂质元素含量进行测定的方法.包括以下步骤:(1)确定试样中杂质元素;(2)破碎筛选;(3)超声清
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碳化硅粉末中杂质元素的测定 - 百度学术
高性能的陶瓷材料例如SiC,用于高温技术是很重要的.它可用于发动机,核聚变装置及微电子工业中.在这些应用中,已经了解到各种微量杂质元素对最终产品的性能有相当大的影响.然而 碳化硅粉末中杂质元素的测定 - 百度学术高性能的陶瓷材料例如SiC,用于高温技术是很重要的.它可用于发动机,核聚变装置及微电子工业中.在这些应用中,已经了解到各种微量杂质元素对最终产品的性能有相当大的影响.然而
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碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International ...
2021年11月17日 实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V.此外，O杂质主要以非晶SiO 2的 碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International ...2021年11月17日 实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V.此外，O杂质主要以非晶SiO 2的
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JC/T 2149-2012《高纯碳化硅粉体成分分析方法》标准在线 ...
本标准规定了高纯碳化硅粉体中二氧化硅、游离硅、游离碳、铝、砷、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、铅、钛、锌等的测定方法。 本标准适用于碳化硅含量范围为99.9 JC/T 2149-2012《高纯碳化硅粉体成分分析方法》标准在线 ...本标准规定了高纯碳化硅粉体中二氧化硅、游离硅、游离碳、铝、砷、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、铅、钛、锌等的测定方法。 本标准适用于碳化硅含量范围为99.9
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LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素_光谱网
2024年6月3日 LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素. 发布时间:2018-11-18] 阅读次数：370次. 来源： 分析测试百科网. 1引言. 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、 LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素_光谱网2024年6月3日 LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素. 发布时间:2018-11-18] 阅读次数：370次. 来源： 分析测试百科网. 1引言. 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、
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碳化硅晶片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
2023年6月12日 化硅材料的痕量杂质浓度的标准属于空白领域，本文件的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及 产业应用具有较强的积极作用。 T/CASAS 032—2023 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法2023年6月12日 化硅材料的痕量杂质浓度的标准属于空白领域，本文件的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及 产业应用具有较强的积极作用。 T/CASAS 032—2023
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碳化硅中杂质元素氮的测定 - 百度学术
摘要：. 碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准.碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用下,经氧化还原反应全部转化为 碳化硅中杂质元素氮的测定 - 百度学术摘要：. 碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准.碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用下,经氧化还原反应全部转化为
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碳化硅晶界杂质的第一性原理分析,Acta Materialia - X-MOL
2021年10月30日 碳化硅是一种重要的结构和电子陶瓷材料，在需要在极端条件下保持稳定性的各种应用中都有许多用途。. 在这项研究中，我们使用第一性原理方法详细研究了点 碳化硅晶界杂质的第一性原理分析,Acta Materialia - X-MOL2021年10月30日 碳化硅是一种重要的结构和电子陶瓷材料，在需要在极端条件下保持稳定性的各种应用中都有许多用途。. 在这项研究中，我们使用第一性原理方法详细研究了点
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碳化硅检测项目及相关标准和方法_杂质_表面_二氧化硅
2024年3月20日 碳化硅的检测主要包括两方面：一是对碳化硅的化学成分进行分析，以确定其纯度和杂质含量；二是对碳化硅的 物理性能进行测试，以确定其硬度、密度、热膨胀系数、导热系数、电阻率等参数。本文主要介绍碳化硅的化学分析方法，即根据GB/T ... 碳化硅检测项目及相关标准和方法_杂质_表面_二氧化硅2024年3月20日 碳化硅的检测主要包括两方面：一是对碳化硅的化学成分进行分析，以确定其纯度和杂质含量；二是对碳化硅的 物理性能进行测试，以确定其硬度、密度、热膨胀系数、导热系数、电阻率等参数。本文主要介绍碳化硅的化学分析方法，即根据GB/T ...
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碳化硅检测项目及相关标准和方法二氧化硅氧化镁碳化硅 ...
2024年3月20日 碳化硅的检测主要包括两方面：一是对碳化硅的化学成分进行分析 ，以确定其纯度和杂质含量；二是对碳化硅的物理性能进行测试，以确定其硬度、密度、热膨胀系数、导热系数、电阻率等参数。本文主要介绍碳化硅的化学分析方法，即根据GB/T ... 碳化硅检测项目及相关标准和方法二氧化硅氧化镁碳化硅 ...2024年3月20日 碳化硅的检测主要包括两方面：一是对碳化硅的化学成分进行分析 ，以确定其纯度和杂质含量；二是对碳化硅的物理性能进行测试，以确定其硬度、密度、热膨胀系数、导热系数、电阻率等参数。本文主要介绍碳化硅的化学分析方法，即根据GB/T ...
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碳化硅化学分析方法_百度文库
碳化硅化学分析方法. 计算结果精确到0.01。. 允许误差按表1的规定。. 试样经氢氟酸-硝酸-硫酸处理使游离硅及二氧化硅生成挥发性的四氟化硅逸出；F400以细的微粉只用氢氟酸处理，用盐酸浸取使表面杂质溶解，测定残留物量即为碳化硅的含量（F400以细的微粉需 ... 碳化硅化学分析方法_百度文库碳化硅化学分析方法. 计算结果精确到0.01。. 允许误差按表1的规定。. 试样经氢氟酸-硝酸-硫酸处理使游离硅及二氧化硅生成挥发性的四氟化硅逸出；F400以细的微粉只用氢氟酸处理，用盐酸浸取使表面杂质溶解，测定残留物量即为碳化硅的含量（F400以细的微粉需 ...
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碳化硅晶体中硼含量的SIMS定量分析方法研究-不知不识网
14 小时之前 摘 要：采用SIMS相对灵敏度因子法，对碳化硅中硼含量的定量分析方法进行了系统的研究。. 通过对离子注入的参考样品进行SIMS深度剖析测得RSF值，实现了碳化硅中硼杂质含量的精确定量检测。. 碳化硅中硼的检测限可达到1e14atoms/cm3。. 关键词：碳化硅；二次离子 ... 碳化硅晶体中硼含量的SIMS定量分析方法研究-不知不识网14 小时之前 摘 要：采用SIMS相对灵敏度因子法，对碳化硅中硼含量的定量分析方法进行了系统的研究。. 通过对离子注入的参考样品进行SIMS深度剖析测得RSF值，实现了碳化硅中硼杂质含量的精确定量检测。. 碳化硅中硼的检测限可达到1e14atoms/cm3。. 关键词：碳化硅；二次离子 ...
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国家标准《硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法》 编制说
2021年10月8日 3.1 起草阶段. 本标准的制定工作由中国电子科技集团公司第四十六研究所承担。. 《硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法》项目正式立项后,起草单位即组织成立了标准起草工作组,讨论并形成了制定工作计划及任务分工。. 2020 年9月,起草工作组完成国家标 国家标准《硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法》 编制说 2021年10月8日 3.1 起草阶段. 本标准的制定工作由中国电子科技集团公司第四十六研究所承担。. 《硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法》项目正式立项后,起草单位即组织成立了标准起草工作组,讨论并形成了制定工作计划及任务分工。. 2020 年9月,起草工作组完成国家标
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碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International ...
2021年11月17日 实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V.此外，O杂质主要以非晶SiO 2 的形式覆盖在SiC颗粒表面。. Fe杂质以Fe 2 O 3 、Fe的形式存在于SiC颗粒周围 x Si y 、Fe x Si y Ti z 和Fe x Al y Si z 相。. 杂质 ... 碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International ...2021年11月17日 实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V.此外，O杂质主要以非晶SiO 2 的形式覆盖在SiC颗粒表面。. Fe杂质以Fe 2 O 3 、Fe的形式存在于SiC颗粒周围 x Si y 、Fe x Si y Ti z 和Fe x Al y Si z 相。. 杂质 ...
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碳化硅磨料的化学成分_技术_磨料磨具网_磨料磨具行业B2B ...
2011年7月5日 碳化硅磨料的化学成分随磨料粒度的变化略有波动。 粒度愈细，纯度愈低。 我国磨料工业上，规定碳化硅成分的标准分析方法是酸萃法，即采用混合酸液（HNO3，H2SO4，HF）对试样加热处理，使颗粒表面的杂质溶解，残渣经灼烧后视为碳化硅含量，此法又称为表面分析法。 碳化硅磨料的化学成分_技术_磨料磨具网_磨料磨具行业B2B ...2011年7月5日 碳化硅磨料的化学成分随磨料粒度的变化略有波动。 粒度愈细，纯度愈低。 我国磨料工业上，规定碳化硅成分的标准分析方法是酸萃法，即采用混合酸液（HNO3，H2SO4，HF）对试样加热处理，使颗粒表面的杂质溶解，残渣经灼烧后视为碳化硅含量，此法又称为表面分析法。
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碳化硅中杂质元素氮的测定 - 百度学术
碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准.碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用下,经氧化还原反应全部转化为铵态氮.消解后的溶液,碱化蒸馏出的氨被硼酸吸收.用标准盐酸溶液滴定,根据标准盐酸溶液 ... 碳化硅中杂质元素氮的测定 - 百度学术碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准.碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用下,经氧化还原反应全部转化为铵态氮.消解后的溶液,碱化蒸馏出的氨被硼酸吸收.用标准盐酸溶液滴定,根据标准盐酸溶液 ...
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GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 ...
2024年4月28日 GB/T 41153-2021. 引用标准. GB/T 14264 GB/T 22461 GB/T 32267. 适用范围. 本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。. 本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013cm-3、氮 ... GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 ...2024年4月28日 GB/T 41153-2021. 引用标准. GB/T 14264 GB/T 22461 GB/T 32267. 适用范围. 本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。. 本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013cm-3、氮 ...
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碳化硅晶片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
2023年6月12日 超纯水、硝酸、氢氟酸、过氧化氢等化学试剂中的杂质含量，以及器皿、工具的洁净程度都会影 响测试结果。 电感耦合等离子体质谱仪存在记忆效应，不应测试表面金属杂质含量高的碳化硅晶片，否则仪器 会被污染，影响仪器的检出限和准确度。 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法2023年6月12日 超纯水、硝酸、氢氟酸、过氧化氢等化学试剂中的杂质含量，以及器皿、工具的洁净程度都会影 响测试结果。 电感耦合等离子体质谱仪存在记忆效应，不应测试表面金属杂质含量高的碳化硅晶片，否则仪器 会被污染，影响仪器的检出限和准确度。
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半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次 离子质谱 ...
2019年11月22日 本标准规定了用二次离子质谱仪测定半绝缘碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及分布的方法。 本标准适用于半绝缘碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及分布的分析，其中铝、钒的浓度均大 于1×1015 atoms/cm3。其它杂质的检测可参照本标准。 2 规 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次 离子质谱 ...2019年11月22日 本标准规定了用二次离子质谱仪测定半绝缘碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及分布的方法。 本标准适用于半绝缘碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及分布的分析，其中铝、钒的浓度均大 于1×1015 atoms/cm3。其它杂质的检测可参照本标准。 2 规
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JC/T 2149-2012《高纯碳化硅粉体成分分析方法》标准在线 ...
JC/T 2149-2012《高纯碳化硅粉体成分分析方法》. 本标准规定了高纯碳化硅粉体中二氧化硅、游离硅、游离碳、铝、砷、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、铅、钛、锌等的测定方法。. 本标准适用于碳化硅含量范围为99.9 %～99.99 %的碳化硅粉体。. JC/T 2149-2012《高纯碳化硅粉体成分分析方法》标准在线 ...JC/T 2149-2012《高纯碳化硅粉体成分分析方法》. 本标准规定了高纯碳化硅粉体中二氧化硅、游离硅、游离碳、铝、砷、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、铅、钛、锌等的测定方法。. 本标准适用于碳化硅含量范围为99.9 %～99.99 %的碳化硅粉体。.
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高纯钨化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 电感耦合 ...
2023年4月20日 按照确定的实验方法，对4个钨公共样品中27种杂质元 素含量重复测定7次，并对数据的平均值和相对标准偏差进行整理汇总。 2023年4月中旬，完成本项目《研究报告》和YS/T 900《高纯钨化学分析方法 痕量杂质元素含量的 测定 电感耦合等离子体质谱法 高纯钨化学分析方法 痕量杂质元素含量的测定 电感耦合 ...2023年4月20日 按照确定的实验方法，对4个钨公共样品中27种杂质元 素含量重复测定7次，并对数据的平均值和相对标准偏差进行整理汇总。 2023年4月中旬，完成本项目《研究报告》和YS/T 900《高纯钨化学分析方法 痕量杂质元素含量的 测定 电感耦合等离子体质谱法
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GB╱T 3045-2017 普通磨料 碳化硅化学分析方法.pdf-全文可读
2021年6月3日 本标准做了如下编辑性修改: ——— 《 》。. 将标准名称修改为 普通磨料 碳化硅化学分析方法 Ⅲ / — GBT3045 2017 本标准由中国机械工业联合会提出。. ( / ) 。. 本标准由全国磨料磨具标准化技术委员会 SACTC139归口 : 、 、 本标准起草单位 郑州磨料磨具磨 GB╱T 3045-2017 普通磨料 碳化硅化学分析方法.pdf-全文可读2021年6月3日 本标准做了如下编辑性修改: ——— 《 》。. 将标准名称修改为 普通磨料 碳化硅化学分析方法 Ⅲ / — GBT3045 2017 本标准由中国机械工业联合会提出。. ( / ) 。. 本标准由全国磨料磨具标准化技术委员会 SACTC139归口 : 、 、 本标准起草单位 郑州磨料磨具磨
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碳化硅中杂质标准-分析测试百科网
2024年4月10日 德国标准化学会 ，关于碳化硅中杂质的标准. DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试.用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂质的质量分率. DIN EN 15979:2011-04 陶瓷原材料和基础材料的检测 直流电弧激励OES直接测定碳化硅 ... 碳化硅中杂质标准-分析测试百科网2024年4月10日 德国标准化学会 ，关于碳化硅中杂质的标准. DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试.用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂质的质量分率. DIN EN 15979:2011-04 陶瓷原材料和基础材料的检测 直流电弧激励OES直接测定碳化硅 ...
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LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素 - 分析测试百科网
2018年11月18日 LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素. 2018.11.18. 1引言. 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。. 痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响 [1]，因此测定碳化硅中微量 ... LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素 - 分析测试百科网2018年11月18日 LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素. 2018.11.18. 1引言. 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。. 痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响 [1]，因此测定碳化硅中微量 ...
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碳化硅,什么是碳化硅,主要成份作用与用途有哪些等-涨知识
2017年11月7日 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好，2127℃时由β-碳化硅转变成α-碳化硅，α-碳化硅在2400℃依然安稳。 碳化硅,什么是碳化硅,主要成份作用与用途有哪些等-涨知识2017年11月7日 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好，2127℃时由β-碳化硅转变成α-碳化硅，α-碳化硅在2400℃依然安稳。
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碳化硅中游离碳的分析
碳化硅（SiC）因其耐热性和硬度而被用作磨料和耐火材料。由于在生产过程中含有游离碳，会对烧结产品的强度等产生不利影响，有必要对游离碳含量进行定量检测。使用氢氟酸法的传统测量（湿法，符合JIS）是危险的，测量前需要三天或更长时间制备样品。 碳化硅中游离碳的分析碳化硅（SiC）因其耐热性和硬度而被用作磨料和耐火材料。由于在生产过程中含有游离碳，会对烧结产品的强度等产生不利影响，有必要对游离碳含量进行定量检测。使用氢氟酸法的传统测量（湿法，符合JIS）是危险的，测量前需要三天或更长时间制备样品。
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